上周，高通与三星共同展示了下一代顶级旗舰处理器——骁龙835，同时表示将会率先采用三星10nm FinFET工艺制造，目前已投产。不过并没有透露有关该芯片的具体规格等更多信息。现在有网友指出：骁龙835将会采用自主架构、八核设计，另外也有网友爆料称骁龙835的主频将会高达3.0GHz。

　　根据微博网友@草包科技 微博中透露的消息，骁龙835的编号为MSM8998（骁龙820/821 MSM8996/MSM8996 Pro），将会采用升级版64位自主架构Kyro 200，采用四大+四小的八核设计，Kyro架构也是从骁龙820开始启用的自主架构。有关于芯片的主频部分，微博网友@i冰宇宙 表示骁龙835的主频将会高达令人震惊的3.0GHz。

　　其他方面，骁龙835集成了Adreno 540 GPU，基带则是LTE X16，最高支持LTE Cat.16，理论下载速度高达1Gbps，上传则能达到150Mbps。另外，@草包科技 微博中的表格显示，骁龙835将在2017年第一季度量产，首发的是三星新旗舰Galaxy S8，明年二月底的MWC 2017大会前发布，而国产机型将在明年年中跟进。