据Anandtech报道，去年10月，三星Foundry正式开始运用其7nm LPP制程工艺生产芯片，此后并未放缓其制造技术的发展。该公司有望在2019年下半年采用其精制的6nm LPP（6纳米低功率加）技术开始批量生产。此外，该公司表示将推出其首款5nm LPE（5纳米低功率）SoC并且将在未来几个月内完成其4nm LPE（4纳米低功率）工艺的研究。在未来几年内，三星Foundry将通过优化或插入高级模块继续运用其14 nm，10 nm和7 nm节点，以满足特定使用的需要。正如所料，极紫外光刻（EUVL）将成为三星领先的下一代制造工艺的关键推动原因。运用EUV的第一项技术是7nm LPP，其后续产品将更广泛地运用它。今年晚些时候，三星将采用其6nm LPP工艺技术开始生产芯片。三星的6LPP nm是三星7nm LPP的精制版，提供更高（~10％）的晶体管密度，更低的功耗，但可以重复运用最初为7nm LPP规划的IP。三星7nm LPP生产技术发展的下一步将是其5nm LPE制造工艺。与6nm LPP相比，在功率，性能和面积方面提供了更多的好处，但也可以重用最初为初始过程规划的IP。三星估计将在今年下半年推出运用其5nm LPE技术的首批芯片，估计将在2020年上半年大规模生产。三星Foundry估计，在客户流失方面，5nm LPE将成为其2020年的主要EUVL节点，可能是因为该技术将能够为各种使用提供众多优势，而三星的EUV产量将会更高。6nm LPP和5nm LPE技术将比7nm LPP工艺更广泛运用的另一个原因是因为三星铸造厂将在未来几个月内建立其在Hwaseong的EUV生产线后拥有更多的EUV产能，Hwaseong是从一开始就为EUV设备而规划的。该工厂耗资46.15亿美元，不久将完工，估计将于2020年开始大批量生产。