双通道固态硬盘 倒车请注意!

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  EVO在很多地方有EVOLUTION进化的含义,从840Evo开始,使用SLC缓存的三星TLC固态硬盘型号就一直以EVO作为结尾,除了性能不济的650被剥夺EVO称号之外,三星最近又推出了取消EVO的850 120G。

双通道固态硬盘 图

  除了保修缩水2年之外,三星850 120G依旧配备了3D TLC闪存,主控也是与850Evo一致的型号,从EVO退化而来的850 120G到底有哪些变化,能否还对得起850之名?

双通道固态硬盘 图

  由于三星有意低调处理这块有缩水嫌疑的850系列新成员,自然也不会有主动的宣传,还好我们可以通过外媒Tom’s Hardware的测验一窥究竟。

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  850 120G延续了三星风格的迷你PCB板,依然是熟悉的MGX主控,不过没有运用750Evo中使用的POP封装,而是将DRAM缓存又放归外置的形式。唯一的一颗闪存颗粒编号为K9CKGY8H5A,由于三星早已不外销颗粒,没有Datasheet信息,这颗闪存到底为何种制程完全无从得知。不过考虑到它问世的时间,有理由猜测这是一颗64层堆叠的3D TLC,为满足国内的低端入门市场,逆势选择了用新闪存做小容量,也为性能衰退埋下伏笔。

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  三星在软件优化上向来功力深厚,不过即便如此850 120G的性能相比850Evo 120G依然出现显著的下滑,储存带宽表现甚至还不如2D TLC闪存的三星750Evo 120G。而从国内京东的定价来看,三星显然是想将850打造为比750Evo更高端的形象,但性能相比850Evo的显著缩水又使得它不得不脱下了EVO的外套,即便性能退步,新850 120G还是比850Evo 120G停产前的价格要贵。不管是新品还是老型号,性价比开倒车是最近一年固态硬盘的共同旋律。

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  850 120G出现性能下滑的原因很简单:新制程3D闪存的单Die容量提升,不合适制造小容量产品。三星在48层堆叠的技术节点上就已经实现了256Gb的单Die容量,如果850 120G所用闪存真的是新一代64层堆叠工艺的话,单Die容量极有可能已经达到512Gb,这意味着850 120G仅有的一颗闪存颗粒中只封装有2个芯片,影响到了并发读写性能的提升。  三星选择在中国发布850 120G,主要是在闪存价格大涨的背景下填补低端装机产品空档,是总价妥协的产物。不过它449的价格并不美丽,或许只适合对三星品牌有较高认同度的人群。120G容量对于当前游戏增肥的趋势来说已显紧凑,就算不考虑单位容量价格也该选择更大的容量以免后悔。  有网友说现在的入门级固态硬盘越来越像优盘了,不仅容量像,闪存通道数量像,山寨品牌干脆就用优盘级品质的颗粒造固态。不出意外的话明年3D QLC闪存也会来了,价格回归去年水平的目标什么时候才会实现呢?

Q:文档中提到的以 EVO 结尾的三星固态硬盘从什么时候开始的?
A:从 840Evo 开始,使用 SLC 缓存的三星 TLC 固态硬盘型号就一直以 EVO 作为结尾。
Q:为什么 650 被剥夺了 EVO 称号?
A:文档中提到因为性能不济。
Q:三星新推出的取消 EVO 的固态硬盘是哪个型号?
A:850120G。
Q:网友对现在入门级固态硬盘有什么看法?
A:网友说现在的入门级固态硬盘越来越像优盘了,不仅容量像,闪存通道数量像,山寨品牌干脆就用优盘级品质的颗粒造固态。
Q:文档中提到明年可能会有什么?
A:不出意外的话明年 3DQLC 闪存也会来了。
Q:文档中对价格回归有什么期待?
A:文档提到价格回归去年水平的目标什么时候才会实现呢?
Q:三星固态硬盘中除了 650 还有哪些型号可能被剥夺 EVO 称号?
A:文档中未提及其他可能被剥夺 EVO 称号的型号。
Q:850120G 相比其他带 EVO 结尾的固态硬盘有什么不同?
A:文档中未明确提及 850120G 与其他带 EVO 结尾的固态硬盘的不同之处。
Q:3DQLC 闪存来了会对固态硬盘市场有什么影响?
A:文档中未提及 3DQLC 闪存对固态硬盘市场的具体影响。
Q:现在入门级固态硬盘的闪存通道数量和优盘有哪些相似之处?
A:文档中仅提到入门级固态硬盘闪存通道数量像优盘,但未具体说明相似之处。

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