三星电子今天正式宣布20nm DDR3 DRAM生产线
三星表示新的20nm生产线早期将会使得芯片的成本提升50%以上，不过由于工艺得到提升，芯片面积、价格和效能都将得到改善。
目前三星主要推出2Gb DRAM颗粒，到年底三星还打算推出4Gb DRAM芯片，16GB、32GB的内存模组将成为可能（标准PCB版）。 据悉三星Line-16位于韩国南部华城，工厂占地198000平方米，截至到目前为止三星共投资了多达100亿美元，旨在保持DRAM内存市场的领导地位。
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