三星电子今天正式宣布20nm DDR3 DRAM生产线
三星表示新的20nm生产线早期将会使得芯片的成本提升50%以上,不过由于工艺得到提升,芯片面积、价格和效能都将得到改善。
目前三星主要推出2Gb DRAM颗粒,到年底三星还打算推出4Gb DRAM芯片,16GB、32GB的内存模组将成为可能(标准PCB版)。 据悉三星Line-16位于韩国南部华城,工厂占地198000平方米,截至到目前为止三星共投资了多达100亿美元,旨在保持DRAM内存市场的领导地位。
Q:三星新的 20nm 生产线会让芯片成本有何变化?
A:早期会使芯片成本提升 50%以上。
Q:20nm 生产线对芯片面积有何影响?
A:芯片面积将得到改善。
Q:20nm 生产线对芯片价格有何长期影响?
A:虽然早期成本提升,但随着工艺提升和产能增加,价格有望逐步改善。
Q:20nm 生产线对芯片效能有何改变?
A:效能将得到改善。
Q:三星目前主要推出什么产品?
A:目前主要推出 2Gb DRAM 颗粒。
Q:三星年底有何计划?
A:到年底打算推出 4Gb DRAM 芯片,使 16GB、32GB 的内存模组成为可能(标准 PCB 版)。
Q:三星 Line-16 工厂在哪里?
A:位于韩国南部华城。
Q:三星 Line-16 工厂占地面积是多少?
A:198000 平方米。
Q:三星对 Line-16 工厂投资了多少?
A:共投资了多达 100 亿美元。
Q:三星投资 Line-16 工厂的目的是什么?
A:旨在保持 DRAM 内存市场的领导地位。
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