Haswell-E让大家感受到了八核心、DDR4内存的威力，那么发烧桌面平台的下一站在哪里呢？VR-Zone带来了答案：14nm Broadwell-E！ 　　Broadwell虽然主攻移动笔记本平台，桌面主要交给Skylake，但是也会有一些K系列黑盒版提供给超频玩家。现在又第一次有确切资料显示，Broadwell同样将会有发烧版本。 　　Broadwell-E自然也是14nm工艺的，这是最大亮点，但是说实话，其他方面就真的乏善可陈了：八核心或六核心(X/K版本都可超频)、最多20MB三级缓存、超线程技术、睿频加速2.0技术、四通道DDR4-2400内存(每通道一条)、40条PCI-E 3.0通道…… 　　也就是说，除了内存频率会提高一个档次(现在是DDR4-2133)，其他和Haswell-E根本就毫无区别！ 　　好消息也有，一是封装接口延续LGA2011-v3，继续搭配X99芯片组，现在的主板刷个BIOS就能上，二是热设计功耗最高还是140W，因此极有可能频率会有明显提升。 　　Broadwell-E的预览样品将在2015年第二季度送出，ES工程样品安排在第36周(8月中上旬)，QS样品则要等到第47周(10月中下旬)，量产就得2016年第一季度了。 　　简而言之，Broadwell-E就是个小幅升级版本，很类似Ivy Bridge-E，而要想看到下一个大招，那就得期待Skylake-E了，2017年？嗯，反正AMD的全新架构还得至少两年，反正这种发烧平台的销量也不过0.x％，Intel才不急呢。

Q:Haswell-E 有哪些特点？
A:Haswell-E 让大家感受到了八核心、DDR4 内存的威力，八核心或六核心（X/K 版本都可超频）、最多 20MB 三级缓存、超线程技术、睿频加速 2.0 技术、四通道 DDR4-2133 内存（每通道一条）、40 条 PCI-E3.0 通道等，封装接口为 LGA2011-v3，搭配 X99 芯片组。
Q:Broadwell-E 的工艺是什么？
A:Broadwell-E 是 14nm 工艺。
Q:Broadwell-E 有哪些核心版本？
A:Broadwell-E 有八核心或六核心版本。
Q:Broadwell-E 的 X/K 版本可以超频吗？
A:可以超频。
Q:Broadwell-E 的三级缓存有多大？
A:最多 20MB 三级缓存。
Q:Broadwell-E 有超线程技术吗？
A:有超线程技术。
Q:Broadwell-E 的睿频加速技术是什么版本？
A:睿频加速 2.0 技术。
Q:Broadwell-E 支持的内存频率是多少？
A:四通道 DDR4-2400 内存（每通道一条）。
Q:Broadwell-E 的封装接口是什么？
A:封装接口延续 LGA2011-v3。
Q:Broadwell-E 什么时候发布？
A:预览样品将在 2015 年第二季度送出，ES 工程样品安排在第 36 周（8 月中上旬），QS 样品则要等到第 47 周（10 月中下旬），量产就得 2016 年第一季度了。