据透露，苹果iPhone 6s已经在SOI（绝缘体上硅）的基质甚至是长时间带阻滤波器的SOI上使用多个射频（RF）芯片。与此同时，Intel和IBM正使用SOI工艺推动硅光子发展。   　　虽然SOI工艺成功之路历经坎坷，但目前已步入向主要市场渗透的正轨。格罗方德高级副总裁兼总经理Rutger Wijburg甚至声称FD-SOI（全耗尽绝缘硅）在四年内的销售量将超过FinFETs。   　　这并不奇怪，因为Wijburg在SEMICON Europa 2015上就公布了格罗方德（GlobalFoundries）的22nm“22FDX”SOI平台具体细节，他声称这项工艺能提供更低功耗，还具有与28nm工艺相似的成本优势，并且性能可与FinFET技术相媲美。斥资2.5亿美元的12寸晶圆FD-SOI（全耗尽绝缘硅）代工厂在德国萨克森硅谷（Silicon Saxony）落成，经过格罗方德长达20年的投资，现已经成为欧洲最大的半导体代工厂。   　　法国Soitec表示我们没必要等到四年后再来判断这场赌注的输赢，因为很显然苹果和Intel两家公司已经在使用SOI工艺，只是尚未公开罢了。声称Intel和其它OEM为苹果供应的全耗尽绝缘体（FD-SOI）射频（RF）晶体管证明，SOI工艺和Soitec的尖端基板增长曲线注定要从此开始成倍增长。   　　他专访中解释：“Intel将继续使用FinFET，因为其具有更高的性能，相比FD-SOI工艺，FinFET功耗也更高。不过，我们正在为英特尔那些不需要高性能的应用提供SOI晶圆，譬如他们的硅光子，我们的晶圆就非常有用。”   　　同样，也声称苹果已经在其前端几个射频芯片使用绝缘硅（SOI），这样能节省20倍的功耗。iPhone仍然在其功率放大器中使用砷化镓（GaAs），因为高功率的设备能实现更好的连接。但是对于其他要确保始终在运行的射频前端芯片（事实上是所有的芯片），Boudre表示FD-SOI的低功耗正在促使智能手机制造商将目光转向Soitec公司。   　　尽管SOI晶片成本是体硅的三倍，但是每个管芯的成本较低，因为包括更少氧化层等简化加工步骤。   　　“举例来说，全球定位系统（GPS）芯片通常在0.8伏特电压中运行，消耗超过20毫安的电流，因此大部分时间只能处于关闭状态。但是如果采用SOI晶片，它们能在0.4伏特电压中运行，消耗不到1毫安的电流，这样能够允许移动设备长时间运行，因而能确保更准确的位置定位和新型的位置应用程序。”Boudre说道。相比FinFETs工艺，FD-SOI（全耗尽绝缘体）晶体可节省20%的管芯成本和50%的氧化埋层成本。   　　格罗方德的萨克森工厂将提供四种不同类型的22FDX工艺，分别为：适用于主流低成本智能手机市场的22FDX-ulp，具有与FinFETs媲美的性能，但在功耗上完败FinFETs；适用于网络应用程序的22FDX-uhp，使用模拟集成匹配FinFETs，同时能够最小化能耗；适用于可穿戴和物联网应用程序所需的超低功率22FDX-ull，泄漏低至1安培/微米；适用于射频模拟应用程序的22FDX-rfa，节省高达50%的功耗且能降低LTE-A细胞接收器、高阶多输入所输出（MIMO）无线组合芯片和毫米波雷达的系统成本。  

Q:什么是 SOI 工艺？
A:SOI（Silicon On Insulator）工艺是一种在绝缘层上生长硅的技术，它具有低功耗、高速等特点。
Q:FD-SOI 有哪些优势？
A:FD-SOI 具有低功耗、高性能、低成本等优势。
Q:SOI 工艺和传统工艺有什么不同？
A:SOI 工艺在绝缘层上生长硅，与传统工艺相比，具有更好的隔离性能和更低的功耗。
Q:FD-SOI 适用于哪些领域？
A:FD-SOI 适用于移动设备、物联网等领域。
Q:SOI 工艺的制造过程是怎样的？
A:SOI 工艺的制造过程包括在绝缘层上生长硅、形成晶体管等步骤。
Q:FD-SOI 的性能如何？
A:FD-SOI 具有高性能、低功耗的特点。
Q:SOI 工艺的发展前景如何？
A:SOI 工艺具有广阔的发展前景，特别是在低功耗应用领域。
Q:FD-SOI 和其他技术相比有什么特点？
A:FD-SOI 相比其他技术具有低功耗、高性能、低成本等特点。
Q:如何提高 SOI 工艺的性能？
A:可以通过优化制造工艺、改进材料等方法提高 SOI 工艺的性能。
Q:FD-SOI 在未来会有哪些发展趋势？
A:FD-SOI 在未来可能会朝着更高性能、更低功耗、更小尺寸等方向发展。
Q:文档中提到苹果 iPhone6s 在哪些方面使用了 SOI？
A:苹果 iPhone6s 已经在 SOI（绝缘体上硅）的基质甚至是长时间带阻滤波器的 SOI 上使用多个射频（RF）芯片。
Q:Intel 和 IBM 如何推动 SOI 工艺发展？
A:Intel 和 IBM 正使用 SOI 工艺推动硅光子发展。
Q:格罗方德高级副总裁 Rutger Wijburg 对 FD-SOI 有何看法？
A:Rutger Wijburg 声称 FD-SOI（全耗尽绝缘硅）在四年内的销售量将超过 FinFETs，格罗方德的 22FDX SOI 平台能提供更低功耗，具有与 28nm 工艺相似的成本优势，性能可与 FinFET 技术相媲美。
Q:格罗方德在德国的工厂有何特点？
A:斥资 2.5 亿美元的 12 寸晶圆 FD-SOI（全耗尽绝缘硅）代工厂在德国萨克森硅谷落成，经过格罗方德长达 20 年的投资，现已经成为欧洲最大的半导体代工厂。
Q:法国 Soitec 对 SOI 工艺的态度是怎样的？
A:法国 Soitec 表示苹果和 Intel 两家公司已经在使用 SOI 工艺，只是尚未公开罢了，声称 SOI 工艺和 Soitec 的尖端基板增长曲线注定要从此开始成倍增长。
Q:Intel 对 FD-SOI 工艺和 FinFET 工艺如何选择？
A:Intel 将继续使用 FinFET，因为其具有更高的性能，相比 FD-SOI 工艺，FinFET 功耗也更高。但 Intel 为那些不需要高性能的应用提供 SOI 晶圆，譬如他们的硅光子。
Q:苹果在射频芯片方面是如何使用 SOI 和其他材料的？
A:苹果已经在其前端几个射频芯片使用绝缘硅（SOI），在功率放大器中使用砷化镓（GaAs）。
Q:SOI 晶片有哪些成本优势？
A:尽管 SOI 晶片成本是体