1.1 数据总量爆发增长，推动储存业发展　　万物互联等新技术的涌现推动数据量的急速膨胀，全球数据总量由2005年的0.13ZB增长至2015年的8.59ZB，十年间增长了66倍。市场调研机构IDC估计，到2020年，全球数据总量将达到40ZB(相当于4万亿GB)，这一数据量是2011年的22倍。　　而储存器则可以说是大数据时代的基石，其市场规模也随着数据总量的增加而不断加大。虽然15年和16年上半年PC市场低迷导致储存器市场遭遇困境，但从2016年下半年开始储存器价格开始回升，而且一直连续到现在，价格上涨带动储存器市场规模不断扩大，IC Insights估计，从现在到2021年，储存器价格平均每年都将上涨1.8%，2017全球储存器市场规模将达到853亿美元，同比增长10%，此后几年储存器市场都将保持健康的增长态势，于2020年达到1000亿美元的规模，2021年可能接近1100亿美元左右，年均增速7.3%，比集成电路整体市场年复合增长率高2.4个百分点。 　　储存器根据储存介质的不一样，可分为光学储存、半导体储存和磁性储存，其中，半导体储存器已成储存器市场主流。根据数据易失性，我们将半导体储存器分为易失性储存(Volatile Memory)和非易失性储存(Non-Volatile Memory)。易失性储存器断电后，数据会随之遗失，最为常见的用途就是PC的内存条。非易失性储存器的数据则不会因为断电而遗失，包含ROM、FLASH等。 　　在现在市场上，DRAM、FLASH是储存器产业的主要构成部分。就现在PC 内存市场来说，更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延时、更低成本的DRAM 仍是不二之选。而在通信领域、消费领域和计算机领域，FLASH具有寿命长、体积小、功耗低、抗振性强，非易失性等优点，慢慢成为现在最有潜力，发展最快的储存器芯片产品。FLASH又可进一步分为NOR FLASH以及NAND FLASH。NOR FLASH主要用来储存代码及部分数据，是手机、PC、DVD、TV、USB Key、机顶盒、物联网设备等代码闪存使用领域的首选。NAND FLASH可以实现大容量储存、高写入和擦除速度、相当擦写次数，多使用于大容量数据储存，例如智能手机、平板电脑、U 盘、固态硬盘等领域。 　　过去30余年中，全球储存器产业经历了两次区域性的产业转移：20世纪80年代，由于日本经济二战后快速崛起，电子制造业从欧美向日本转移，储存器产业重心也从欧美国家转移到日本，日本储存器企业一度垄断90%以上份额。90年代，韩国抓住了6英寸晶圆厂过渡到8英寸的世代交替，以9座8英寸晶圆厂的产能优势，一举取代日本厂商，储存器产业重心从日本转移到韩国。 　　1.2 储存器产业模式 　　储存器产业有两种主要经营模式，IDM和Fabless。IDM模式是指企业务覆盖芯片的规划、制造封装和测验所有环节，这种模式对企业的研究力量、生产管理能力、资金实力和业务规模都有极高的要求。Fabless模式是指无晶圆生产线模式，即企业只进行规划和销售，将制造、封装和测验等生产环节分别外包给专业的晶圆制造企业、封装和测验企业来完成。 　　IDM企业主要是国际大厂所采取的主要模式，技术先进、资金雄厚的三星、SK海力士、美光等均采用此种模式，占据了储存器市场的大半江山。IDM模式需要大量的投资和研究经验，没有足够资金和经验的公司选择进入储存器产业的某一细分阶段，该模式垂直分工，具有较强的灵活性，规划环节代表厂商有晶豪科等，制造环节代表厂商有台积电、中芯国际等，封测环节代表厂商有日月光等。 　　1.3 储存器行业周期性显著　　储存器行业属于周期性行业，从历史表现上看，储存器行业总是处于交替出现的涨跌循环之中。储存器行业的波动剧烈，其产业周期强于电子市场及电子元器件市场整体的周期性，暴涨暴跌的情况可谓常态。以储存器华强北指数为参照，2013年仅半年期间储存器华强北指数便上涨21.28%，随后在不到三个月时间内下跌14.18%，14年又迎来一轮猛涨，一年时间内由82.96上涨至104.22，涨幅达25.63%。相比于整个电子元器件整体市场，储存器的波动显得异常显著，特别是在2013年以后。 　　具体到储存器产品，DRAM和FLASH的主流产品同样呈现出显著的周期特征，且涨跌幅有时甚至能达到70%-100%之多。储存器行业周期特征显著主要源于供给量和需要量的增减交替。需要方面，新的使用领域的出现会刺激储存器的市场需要，从而推动储存器产品价格上扬，例如2012至2013年SSD使用兴起使得NAND需要旺盛，一年内涨幅达70%。而随着新产品市场容量慢慢趋于饱和，储存器市场便开始降温，迎来下跌周期。 　　供给方面，储存器产品利润可观吸引各厂商加入混战，其间大肆扩张产能、增加出货量、压低价格的现象屡见不鲜，最后导致储存器价格大幅下跌。接着，价格下跌又驱使厂商寻找新的利润点，缩减原有储存器的产能，供不应求的状况便会出现，储存器价格开始反弹。储存器行业集中度较高更加深了供给端对周期的作用，某一时期的产能产出往往是几家巨头相互博弈的结果。DRAM 行业被三星、SK海力士、美光三分天下，NAND FLASH市场上三星、SK海力士、Toshiba、闪迪、美光五家企业占据了97%的市场份额，NOR FLASH市场也由赛普拉斯、旺宏、美光、华邦电、兆易创新五家企业垄断。如此之高的行业集中度使得任何一家厂商的扩产或缩产行为都可能改变市场格局，从而引发储存器行业的周期，例如13年SK海力士无锡厂区遭遇火灾，内存颗粒一天之内涨价三次，再如17年初美光计划退出NOR FLASH市场的消息使得NOR FLASH的涨势愈趋明确。 　　再者，储存器属于标准化程度较高的产品，同质化严重，厂商很难靠产品不一样化来形成有效的客户黏性，厂商总存在扩大产能的冲动，以量取胜，利用规模优势来降低成本，挤占市场。 　　历经几年低迷的下行周期，储存器行业现已迎来反转。国际大厂大举进军3D NAND，将原有产能划拨至3D NAND的生产，导致2D NAND和DRAM供应不够，而现在3D NAND产能尚未释放，NOR FLASH也因为美光退出而产能吃紧，整个储存器市场涨声四起。近半年来，三星、SK海力士、美光等龙头厂商营收屡创新高，三星电子2017年一季度运营利润88亿美元，较上年同期增长48%，创四年来最高峰。美光科技2017财年Q2显示当季营收46.5亿美元，环比增长17%，同比暴涨了58%，毛利率也回升到36.7%，净利润达到了8.94亿美元。SK海力士2016四季度营收53850亿韩元，折合美元47亿，净利润16290韩元，折合美元14亿，较上年同期增长172%。